控制端口使用了５個控制位，具體意義如圖２所示。

　　圖２　控制端口對ＮＡＮＤＦｌａｓｈ的控制

　?。模?、Ｄ１、Ｄ２位對ＮＡＮＤＦｌａｓｈ進行控制，Ｄ３位對鎖存器進行控制，Ｄ５位控制打印口數(shù)據(jù)端口的輸入／輸出方向。Ｄ５位置０時，ＰＣ通過打印口數(shù)據(jù)端口輸出數(shù)據(jù)到ＮＡＮＤＦｌａｓｈ；置１時，通過打印口數(shù)據(jù)端口接收ＮＡＮＤ２Ｆｌａｓｈ數(shù)據(jù)。在打印口連接器處，Ｄ０、Ｄ１、Ｄ３位反相輸出，而Ｄ２位是正相輸出，即Ｄ０、Ｄ１、Ｄ３位輸出１，ＮＡＮＤ２Ｆｌａｓｈ獲得０；Ｄ２位輸出１，ＮＡＮＤＦｌａｓｈ獲得１。

　　打印口與存儲卡連接

　　打印口通過５０針卡座與存儲卡的５０孔卡口相連，從而連接存儲卡上的ＮＡＮＤＦｌａｓｈ，具體的口線連接如圖３所示。

　　圖３　寫卡器與ＮＡＮＤＦｌａｓｈ連接

　　在圖３中，并未畫出卡座與卡口的具體連接線，因為它們只是起連接中轉(zhuǎn)作用。

　　由圖３可知，打印口的引腳１控制ＮＡＮＤＦｌａｓｈ芯片有效，引腳２～９控制ＮＡＮＤＦｌａｓｈ的８個ＩＯ口，其中引腳２和３通過５７３鎖存器復用控制ＮＡＮＤＦｌａｓｈ的ＣＬＥ（命令允許）和ＡＬＥ（地址允許），引腳１０接收ＮＡＮＤＦｌａｓｈ的（狀態(tài)信號），引腳１４控制ＮＡＮＤＦｌａｓｈ的（寫有效），引腳１６控制ＮＡＮＤＦｌａｓｈ的（讀有效），引腳１７控制鎖存器的（允許鎖存）。其他的打印口引腳未使用，一些接高電阻，一些接地，在圖中未畫出。

　?。危粒危模疲欤幔螅栊枰常常种绷麟姽╇?，寫卡器通過直流電源變壓器調(diào)整電壓后為ＮＡＮＤＦｌａｓｈ供電。

　　存儲系統(tǒng)軟件

　　存儲系統(tǒng)軟件采用標準Ｃ編寫，編譯器為Ｂｏｒｌａｎｄ公司的ＢＣ３．０。由于采用標準Ｃ編寫程序，使得軟件具有良好的兼容性和可移植性。目前，本系統(tǒng)軟件支持三星公司的各種存儲容量的ＮＡＮＤＦｌａｓｈ，如３２ＭＢ（兆字節(jié)）、６４ＭＢ、１２８ＭＢ、２５６ＭＢ。

　　存儲系統(tǒng)軟件框架

　　存儲系統(tǒng)由上至下分控制層、應用層、基礎(chǔ)層３個層次，軟件框架如圖４所示?；A(chǔ)層封裝了對ＮＡＮＤＦｌａｓｈ操作的底層實現(xiàn)，構(gòu)成一個底層平臺，為應用層提供調(diào)用接口。應用層完成各種ＮＡＮＤＦｌａｓｈ應用操作，為控制層提供調(diào)用接口?？刂茖訄?zhí)行全局調(diào)用。

　　控制層由主控模塊組成，根據(jù)命令行參數(shù)調(diào)用應用層各模塊。

　　應用層包括：

　?。ǎ保┏跏蓟K：讀取ＮＡＮＤＦｌａｓｈ的設(shè)備信息，獲得其存儲容量和分頁分塊參數(shù)。

　?。ǎ玻┳x數(shù)據(jù)模塊：首先調(diào)用基礎(chǔ)層的ＮＡＮＤＦｌａｓｈ塊偏移模塊獲得相對地址，而后調(diào)用讀一頁模塊讀取所需數(shù)據(jù)。

　?。ǎ常憯?shù)據(jù)模塊：首先同于讀數(shù)據(jù)模塊獲得相對地址，而后調(diào)用基礎(chǔ)層的寫一頁模塊將數(shù)據(jù)寫入指定地址。

　　（４）擦除模塊：首先同于讀模塊獲得相對地址，而后反復調(diào)用基礎(chǔ)層的擦一頁模塊將整個ＮＡＮＤＦｌａｓｈ擦除。

　?。ǎ担椭K：提示使用者本軟件系統(tǒng)的功能和相關(guān)命令行參數(shù)設(shè)置。

　?。ǎ叮危粒危模疲欤幔螅鑿臀荒K：使ＮＡＮＤＦｌａｓｈ復位，恢復到未發(fā)生任何操作前的狀態(tài)。

　?。ǎ罚危粒危模疲欤幔螅铏z查模塊：顯示ＮＡＮＤＦｌａｓｈ的設(shè)備號、壞塊個數(shù)、存儲容量等相關(guān)信息。

　　基礎(chǔ)層包括：

　?。ǎ保危粒危模疲欤幔螅鑹K偏移模塊：根據(jù)ＮＡＮＤＦｌａｓｈ壞塊記錄模塊記錄的壞塊信息，進行地址轉(zhuǎn)換，將ＮＡＮＤ２Ｆｌａｓｈ中所有正常塊的物理地址轉(zhuǎn)換為相對地址。

　?。ǎ玻┯嫊r模塊：記錄讀數(shù)據(jù)、寫數(shù)據(jù)、擦除３種應用層操作所花費的時間，與此３種操作同時運行。

　?。ǎ常┳x一頁模塊：根據(jù)ＮＡＮＤＦｌａｓｈ讀操作的時序圖，向ＮＡＮＤＦｌａｓｈ送入正確的命令字和地址，讀取一頁數(shù)據(jù)并存放到接收緩沖區(qū)中。

　　圖４　存儲系統(tǒng)軟件框架

　?。ǎ矗懸豁撃K：根據(jù)ＮＡＮＤＦｌａｓｈ寫操作的時序圖，向ＮＡＮＤＦｌａｓｈ送入正確的命令字和地址，在ＮＡＮＤ２Ｆｌａｓｈ的指定地址寫入一頁數(shù)據(jù)。

　?。ǎ担┎烈豁撃K：根據(jù)ＮＡＮＤＦｌａｓｈ擦操作的時序圖，向ＮＡＮＤＦｌａｓｈ送入正確的命令字和地址，擦除ＮＡＮＤ２Ｆｌａｓｈ指定地址的一頁數(shù)據(jù)。

　　（６）ＮＡＮＤＦｌａｓｈ壞塊記錄模塊：在進行應用層擦除操作的同時，將發(fā)現(xiàn)的壞塊全部記錄下來，存放在ＮＡＮＤＦｌａｓｈ的個塊的頁中。當ＮＡＮＤＦｌａｓｈ的個塊是壞塊，或其壞塊個數(shù)超過１０時，此ＮＡＮＤ２Ｆｌａｓｈ將不再被使用。

　?。ǎ罚懨钅K：向ＮＡＮＤＦｌａｓｈ送入命令字，控制ＮＡＮＤＦｌａｓｈ下一步將進行何種操作。

　　（８）寫地址模塊：向ＮＡＮＤＦｌａｓｈ送入地址，控制ＮＡＮＤＦｌａｓｈ下一步將在什么地址進行操作。

　　（９）讀ＮＡＮＤＦｌａｓｈ狀態(tài)模塊：在對ＮＡＮＤＦｌａｓｈ進行任何操作前，都必須讀?。危粒危模疲欤幔螅璁斍暗臓顟B(tài)，判斷其處于ＲＥＡＤＹ狀態(tài)還是ＢＵＳＹ狀態(tài)。

　　典型操作實現(xiàn)

　?。危粒危模疲欤幔螅璨僮髦?，為典型的是讀操作。ＮＡＮＤＦｌａｓｈ以存儲容量１２８ＭＢ為界，界兩端因分頁分塊參數(shù)不同而導致操作時序不同。以下以６４ＭＢ和１２８ＭＢ的ＮＡＮＤＦｌａｓｈ為例，分析它們讀操作時序的不同，并給出關(guān)鍵的實現(xiàn)過程。

　　圖５?。叮矗停潞停保玻福停拢危粒危模疲欤幔螅枳x操作時序?qū)Ρ?/FONT>