Vishay推出三款面向OR-ing應(yīng)用的功率MOSFET，這些器件具有三種封裝選擇，可提供的導(dǎo)通電阻性能，憑借這三款器件，公司將有助于提高固定電信網(wǎng)絡(luò)的效率。在企業(yè)服務(wù)器網(wǎng)絡(luò)中，OR-ing功能可在主電源出現(xiàn)故障時接通冗余電源，以確保為系統(tǒng)持續(xù)供電。由于MOSFET承載來自正在運行的電源的整個負(fù)載，因此降低這些器件的功耗可極大降低能源成本。

    日前推出的這三款N通道MOSFET具有20V漏極到源極與柵極到源極額定值，并且在SO-8占位面積中具有低至1.6毫歐的導(dǎo)通電阻規(guī)格。與同類競爭器件相比，這些Vishay Siliconix功率MOSFET的導(dǎo)通電阻性能比市場上具有相同電壓規(guī)格及封裝類型的僅次之的器件低36%。設(shè)計人員將根據(jù)他們應(yīng)用的具體電路及熱要求，從日前推出的這三款TrenchFET第二代器件中進(jìn)行選擇。

    與采用SO-8封裝的任何類似功率MOSFET相比，新型Si4398DY的導(dǎo)通電阻低36%，在10V時rDS(on)額定值為2.8毫歐。除OR-ing應(yīng)用外，Si4398DY還可用于低功耗整流、直流到直流以及負(fù)載點功率轉(zhuǎn)換電路。對于低壓電源，在采用SO-8封裝的器件中，Si4398DY具有的rDS(on)額定值。當(dāng)功率增加時，采用熱增強(qiáng)型封裝的功率MOSFET可在相同占位面積中傳導(dǎo)更多電流，從而可減少應(yīng)用所需的器件數(shù)。在需要冗余電路的交流或直流開關(guān)模式電源中，這可實現(xiàn)通過12V的軌電壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)增加功率密度。

    為在靜止空氣環(huán)境中實現(xiàn)散熱效果，Vishay正在推出采用熱增強(qiáng)型PowerPAK SO-8封裝的Si7866ADP。Si7866ADP在10V時額定導(dǎo)通電阻值為2.4毫歐，該器件將低傳導(dǎo)損耗與強(qiáng)大可靠的熱性能進(jìn)行了完美結(jié)合。結(jié)到外殼熱阻為1.5℃/W，而標(biāo)準(zhǔn)SO-8提供的結(jié)到腳(junction-to-foot)熱阻為16℃/W。除OR-ing外，其目標(biāo)應(yīng)用還包括臺式機(jī)電腦中的同步降壓轉(zhuǎn)換器以及低輸出電壓同步整流。

    對于使用風(fēng)冷裝置的實施，先前推出的采用PolarPAK封裝的SiE808DF(有兩個散熱通道，分別位于該器件的頂部與底部)具有比僅次之的采用雙面冷卻的器件低20%的導(dǎo)通電阻。在10V時，其超低的rDS(on)額定值為1.5毫歐。

    目前，Si4398DY、Si7866ADP及SiE808DF的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為12～14周。