摘要：以TRI公司的基于NOR Flash的Flash管理軟件FMM為例，詳細介紹嵌入式系統(tǒng)中如何根據(jù)Flash的物理特性來進行Flash存儲管理。

    關鍵詞：嵌入式系統(tǒng) Flash FMM

引言

在當前數(shù)字信息技術和網(wǎng)絡技術高速發(fā)展的后PC（Post-PC）時代，嵌入式系統(tǒng)已經廣泛地滲透到科學研究、工程設計、軍事技術、各類產業(yè)和商業(yè)文件藝術、娛樂業(yè)以及人們的日常生活等方方面面中。隨著嵌入式系統(tǒng)越來越廣泛的應用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理已經成為一個重要的課題擺在設計人員面前。

Flash存儲器作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點。目前已經逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中主要數(shù)據(jù)和程序載體。

作為嵌入式系統(tǒng)的一部分，F(xiàn)lash存儲管理的主要功能是針對Flash自身的物理特性，利用一些特定的算法來提高Flash的使用效率，加快操作速度和管理Flash各單元的使用頻率。

1 Flash存儲器簡介

嵌入式系統(tǒng)中使用的Flash主要分為NOR和NAND兩種類型。這里我們以NOR型Flash為例進行介紹。NOR型Flash主要特點如下：

*體積小、容量大，目前可以達到十幾MB。

*掉電數(shù)據(jù)不丟失，數(shù)據(jù)可以保存10～100年。

*有獨立的地址和數(shù)據(jù)總線，可以快速地通過總線讀取數(shù)據(jù)。因此它具有和靜態(tài)RAM相同的讀取速度，既可以作為數(shù)據(jù)存儲器也可以作為程序存儲器使用。

*寫入操作必須通過指令序列來完成，以字節(jié)（Byte）或字（Word）為單位，每寫入一個Byte或Word需十幾μs。

*擦除也通過指令序列完成，以塊（Block）為單位，通常塊的大小為64K。每擦除一個塊需要十幾ms。

*由于Flash有一定的使用壽命，一般為10～100萬次。所以隨著使用次數(shù)的增加，會有一些單元逐漸變得不穩(wěn)定或失效，因此必須能夠對其狀態(tài)加以識別。

2 Flash存儲管理的作用

由Flash特點可以看出，操作Flash需要注意以下幾點：

*必須以幾K～幾十K的塊為單位進行數(shù)據(jù)的操作；

*擦除操作耗時較多，應減少擦除操作；

*盡量避免頻繁地對同一地址操作，以免造成局部單元提前損壞。

另外，大部分嵌入式操作系統(tǒng)所掛接的文件系統(tǒng)是建立在以扇區(qū)（Sector）為單位的磁盤操作基礎上（通常為512字節(jié)/扇區(qū)）。因此也需要一段特殊的Flash存儲管理程序來解決以扇區(qū)為單位的文件系統(tǒng)接口和以塊為單位的Flash物理特性之間的矛盾；同時，完成各塊之間的擦寫次數(shù)均衡和壞塊管理等工作。Flash存儲管理程序在系統(tǒng)中的位置所示。

本文以TRI公司的FMM為例，說明Flash存儲管理模塊和如何完成這些功能的。

3 FMM介紹

FMM（Flash Media Manager）是由TRI公司開發(fā)的專門針對NOR型Flash的管理軟件，其主要特點如下：

*動態(tài)映射OS的邏輯扇區(qū)到物理地址；

*所有物理塊進行壽命均衡，同時可記錄Flash的擦寫次數(shù)；

*掉電數(shù)據(jù)恢復，可以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性；

創(chuàng)建壞塊表進行壞塊管理，保證系統(tǒng)的可靠性。

為了更好地介紹FMM的操作流程，這里先作幾點說明。

（1）存儲空間管理

為了實現(xiàn)以扇區(qū)為基礎的數(shù)據(jù)管理，F(xiàn)MM首先對Flash中的塊內存儲空間邏輯上進行了重新定義，每個物理塊內部又重新劃分成了若干物理扇區(qū)。每個物理塊內部又重新劃分成了若干物理扇區(qū)。每個物理扇區(qū)由512+4字節(jié)=516（0x204）字節(jié)組成。512字節(jié)為有效數(shù)據(jù)空間，另外4字節(jié)（32位）用于存放邏輯扇區(qū)另和當前狀態(tài)。定義如下：

扇區(qū)狀態(tài)有4種，用于進行掉電數(shù)據(jù)恢復：

FREE—空扇區(qū)（0xF）；

DVALID—扇區(qū)數(shù)據(jù)無效（0xE）；

INUSE—扇區(qū)數(shù)據(jù)有效（0xC）；

DIRTY—扇區(qū)數(shù)據(jù)無用，可擦除（0x8）。

以64K大小的塊為例，可以計算出每個塊中可以劃分出127個扇區(qū)；另外，還會有4字節(jié)的空間，專門用于標志下一個被整理塊。標記為0x80，否則為0xffffffff。

因此可以得出物理扇區(qū)和地址之間的對應關系：

地址=Flash基地址+物理扇區(qū)號×0x204+所在塊號×4

（2）扇區(qū)分類

FMM中將扇區(qū)分為ID扇區(qū)和數(shù)據(jù)扇區(qū)兩類：

①FMM會占用N個扇區(qū)作為標識ID（Identification）扇區(qū)，占用邏輯扇區(qū)號0～N。這一部分扇區(qū)是文件系統(tǒng)不能使用的，是FMM用于管理所占用的存儲空間。因此文件系統(tǒng)所管理的邏輯扇區(qū)號必須從N+1開始。

ID扇區(qū)主要包含如下數(shù)據(jù)：FMM版本號、寫入（擦除）次數(shù)EraseCount、用戶標識和壞扇區(qū)表。

    N的取值與壞扇區(qū)表的大小有關，每個FMM管理的物理扇區(qū)占用表中的1位。在每次存儲數(shù)據(jù)時，可以通過查詢表中的相應位來確定該扇區(qū)的有效性。

②數(shù)據(jù)扇區(qū)，用于存儲數(shù)據(jù)。

（3）空間映射表（Mapping Table）

由于Flash不能像普通磁盤那樣進行字節(jié)的修改，甚至不能以扇區(qū)為單位進行修改；而只能以塊為單位進行修改；但如果只是簡單將物理扇區(qū)和邏輯扇區(qū)一一對應，那么如果我們想對扇區(qū)修改就必須將整個塊的內容都擦除，然后再將修改后的內容回寫；勢必會造成時間和Flash壽命的損失。因此，建立一個物理扇區(qū)號和邏輯扇區(qū)號的空間映射表，使邏輯扇區(qū)與物理扇區(qū)號進行動態(tài)的匹配。這樣，在修改某個扇區(qū)的內容時只要將數(shù)據(jù)寫入一個新的扇區(qū)，然后將原扇區(qū)標記為DIRTY就可以了。這樣，還可以消除頻繁修改某個扇區(qū)帶來的壽命不均的影響。

映射表是建立在內存中的項數(shù)為M（扇區(qū)總數(shù)）的數(shù)組，每項占用4字節(jié)，用于存放對應的物理扇區(qū)號。當某項為空（NULL）時，認為該扇區(qū)空閑，未使用。

4 FMM模塊操作

按功能，可以將FMM分解為4個基本模塊：格式化模塊、初始化模塊、存取模塊和空間整理模塊。以下簡單掃描各模塊的操作流程。

（1）格式化模塊

對數(shù)據(jù)空間進行初級格式化，建立ID扇區(qū)。該模塊在次使用數(shù)據(jù)盤之前調用，相當于低級格式化。過程如下：

①調用FMM初始化模塊，根據(jù)結果判斷該存儲體是否含有FMM控制信息。如果有，將擦除次數(shù)計數(shù)器EraseCount加1，否則置為1。

②調用Flash驅動程序，將FMM所管理的空間全部擦除。

③將Block0的標志置為0x80，即下一個被整理的Block，也是個非空Block。

④收集有關信息，創(chuàng)建ID扇區(qū)寫入Flash。

⑤在內存中創(chuàng)建空間映射表。

空間映射表的創(chuàng)建過程如下：

①清空內存中為映射表和ID扇區(qū)申請的空間。

②將Flash中的ID扇區(qū)內容讀入內存中。

③掃描整個物理空間，依次讀入每個物理扇區(qū)的狀態(tài)和邏輯扇區(qū)號，將狀態(tài)為INUSE的邏輯扇區(qū)號裝入空間映射表的對應位置，并記錄INUSE和DIRTY扇區(qū)的數(shù)目。

④修復掃描中發(fā)現(xiàn)的DAVLID扇區(qū)數(shù)據(jù)。

修復DAVLID扇區(qū)的過程如下：

①取出DVALID扇區(qū)的邏輯扇區(qū)號。

②如果邏輯扇區(qū)號為NULL，跳到步驟⑤。

③查詢空間映射表，如果對應的物理扇區(qū)號為NULL，跳到步驟⑤。

④將查到的物理扇區(qū)置為DIRTY。

⑤將DAVLID扇區(qū)置為INUSE，將其扇區(qū)號填入空間映射表。

（2）初始化模塊

該模塊在文件系統(tǒng)初始化之前調用，用于初始化FMM系統(tǒng)。

①從內存池中為ID扇區(qū)申請內存。

②從內存池中為空間映射表申請內存。

③在內存中創(chuàng)建空間映射表。

（3）存取模塊

該模塊是FMM與文件系統(tǒng)的接口，可以分為讀和寫兩部分。

*讀數(shù)據(jù)過程：

①根據(jù)所要讀取的邏輯扇區(qū)號，查表找出其對應的物理扇區(qū)號；

②根據(jù)物理扇區(qū)號計算出物理地址；

③讀出該扇區(qū)數(shù)據(jù)；

④如需讀多個扇區(qū)，重復步驟①～③。

*寫數(shù)據(jù)流程；

Flash存儲器中“寫入”是將對應單元由“1”變“0”，“擦除”是由“0”變?yōu)椤?”。因此，無須擦除就可以將狀態(tài)FREE（0xF）依次“寫”為DVALID（0xE）、INUSE（0xC）、DIRTY（0x8），。

（4）空間整理模塊

由于在寫入操作中產生dirty扇區(qū)，因此當自由空間不足時，需要對空間進行整理，釋放dirty扇區(qū)占用的空間用于存儲數(shù)據(jù)。

可以看出，整理的過程實際是將有用扇區(qū)依次搬到空扇區(qū)中，再擦除舊塊的過程，因此需要一個空塊用作數(shù)據(jù)交換。

5 FMM性能分析

*讀出速度：讀取速度基本與Flash的讀速度相同。

*寫入速度：寫入操作速度與Flash的寫入速度基本相同。

*整理速度：空間整理上由于算法的限制會耗費很長的時間，挑選除速度較快的Flash來進行配合使用；或者可以采用其它的算法來進行空間整理，但會使壽命均衡有所減弱，必須根據(jù)具體的應用來選取適合的方案組合才能達到的效果。

*文件系統(tǒng)可用空間：由于FMM占用了一部分空間，因此實際文件系統(tǒng)可用空間小于Flash的實際物理空間。

文件系統(tǒng)可用空間=Flash總空間-ID扇區(qū)空間-1個用于整理的保留塊空間。