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BSO613SPV G

更新時間:2025-06-20 14:01:58

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BSO613SPV G 概述

BSO613SPV G是英飛凌(Infineon)公司生產的一款P溝道MOSFET。該MOSFET采用超小尺寸的SOT-23封裝，適合空間受限的應用場景。其最大漏源電壓(VDS)為-30V，連續(xù)漏極電流(ID)在室溫下為-4.2A，這使得它適用于中低功率的電源管理應用。典型應用場景包括負載開關、電池充電電路以及DC-DC轉換器中的同步整流。由于其低導通電阻(RDS(on))特性，在減少功耗和提高效率方面表現優(yōu)異。使用時應注意選擇合適的柵極驅動電壓以確保MOSFET完全導通，并且要關注器件的最大功耗限制，避免過熱損壞。在實際設計中，可以將其與控制IC配合使用，實現高效的電源管理功能。

BSO613SPV G 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SIPMOS®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.44A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
130 毫歐 @ 3.44A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
875pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
PG-DSO-8
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSO613SPV G-NDBSO613SPVGTBSO613SPVGXTSP000216309

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BSO613SPVG
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BSO615C
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