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VLSI 的貨源和報(bào)價(jià) VLSI 的相關(guān)技術(shù)信息

其他型號

Design of VLSI CMOS集成電路的物理結(jié)構(gòu)

價(jià)電子在獲得一定能量(溫度價(jià)電子在獲得一定能量(溫度升高或受光照)后,即可脫原升高或受光照)后,即可掙脫原子核的束縛,成為自由電子(帶子核的束縛,成為自由電子(帶負(fù)電),同時(shí)共價(jià)鍵中留下一個(gè)負(fù)電),同時(shí)共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位,稱為空穴(帶正電)空位,稱為空穴(帶正電)..本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā).空穴溫度愈高,晶體中產(chǎn)生的溫度愈高,晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多.自由電子便愈多.
自由電子
在外電場的作用下,空穴吸引相鄰原子的價(jià)電子來填補(bǔ),在外電場的作用下,空穴吸引相鄰原子的價(jià)電子來填補(bǔ),而在該原子中出現(xiàn)一個(gè)空穴,其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)(相而在該原子中出現(xiàn)一個(gè)空穴,其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)(相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)).當(dāng)于正電荷的移動(dòng)).

本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理
當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí),在半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí),在半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流部分電流(1)(1)自由電子作定向運(yùn)動(dòng)自由電子作定向運(yùn)動(dòng)→→電子電流電子電流(2)(2)價(jià)電子遞補(bǔ)空穴價(jià)電子遞補(bǔ)空穴→→空穴電流空穴電流

注意:
(1) (1) 本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少, , 其導(dǎo)電性能很差;其導(dǎo)電性能很差;
(2) (2) 溫度愈高,溫度愈高,載流子的數(shù)目愈多載流子的數(shù)目愈多,,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能也就愈半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能也就愈
好.所以,溫度對半導(dǎo)體器件性能影響很大.好.所以,溫度對半導(dǎo)體器件性能影響很大.

自由電子和自由電子和空穴都稱為載流子.空穴都稱為載流子.
自由電子和自由電子和空穴成對地產(chǎn)生的同時(shí),又不斷復(fù)合.在一空穴成對地產(chǎn)生的同時(shí),又不斷復(fù)合.在一定溫度下,載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,半導(dǎo)體中載定溫度下,載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目.流子便維持一定的數(shù)目.