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APT56M60B2

更新時間:2025-05-26 22:30:51

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APT56M60B2 概述

APT56M60B2是由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生產(chǎn)的功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏源電壓為60V，適合在中低壓應用場景中使用。典型應用包括同步整流、直流-直流轉換器以及電池充電器等。在實際應用中，建議確保柵極驅動電路能夠提供足夠的驅動能力以保證MOSFET快速開關，減少開關損耗。設計時應注意PCB布局，盡量減小寄生電感對電路性能的影響。對于需要并聯(lián)多個MOSFET的應用場景，需特別關注每個器件的均流問題，以避免局部過熱。在選擇柵極電阻時，要綜合考慮開關速度與EMI抑制之間的平衡。

APT56M60B2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
POWER MOS 8™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
130 毫歐 @ 28A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
280nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
11300pF @ 25V
功率 - 最大
1040W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3 變式
供應商設備封裝
TO-247 [B]
包裝
管件
其它名稱
APT56M60B2MPAPT56M60B2MP-ND

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