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APT30M36B2FLLG

更新時間:2025-06-26 06:33:44

供應商
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數(shù)量
廠商
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說明
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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只做原裝進口現(xiàn)貨，專注配單

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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

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APT30M36B2FLLG 概述

APT30M36B2FLLG是由Microsemi（現(xiàn)已被Microchip收購）生產的一款功率MOSFET。這款器件采用先進的溝槽技術制造，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源應用。其封裝形式為TO-220，便于散熱和安裝。該型號主要用于DC-DC轉換器、不間斷電源（UPS）、電機驅動和其他需要高效功率管理的場合。在實際應用中，需注意柵極電壓的穩(wěn)定性，以確保MOSFET能夠正常開啟和關閉。推薦在柵極串聯(lián)一個小電阻來抑制振蕩，并在源極和柵極之間并聯(lián)一個齊納二極管進行過壓保護。此外，在PCB布局時應盡量減小寄生電感，以降低開關損耗和電磁干擾。根據(jù)具體的應用需求，選擇合適的散熱器和冷卻方式也非常重要。

APT30M36B2FLLG 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
POWER MOS 7?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
300 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
84A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
36 毫歐 @ 42A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
115 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
6480 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
T-MAX? [B2]
封裝/外殼
TO-247-3 變式

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