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STP35N65DM2

更新時間:2025-06-19 14:04:28

供應商
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服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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中揚電子（深圳）有限公司
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只做原裝，現(xiàn)貨庫存

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華芯盛世半導體（深圳）有限公
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特價支持，只做原裝現(xiàn)貨

深圳市吉翰電子有限公司
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公司現(xiàn)貨庫存，假一賠十

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只做原廠原裝假一罰十可含稅

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只做原裝,提供一站式配套服務，BOM表秒報

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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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特價現(xiàn)貨，提供BOM配單服務

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全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限
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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

深圳市銘科微電子有限公司
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深圳市創(chuàng)芯友科技有限公司
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深圳市昂芯微科技有限公司
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得捷（深圳）商貿(mào)有限公司
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STP35N65DM2 概述

STP35N65DM2是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用MDmesh DM2技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能。其最大漏源電壓Vds為650V，連續(xù)漏極電流Id在25°C時為35A，柵極驅(qū)動電壓范圍為±20V。由于其出色的電氣特性，STP35N65DM2廣泛應用于高效電源轉(zhuǎn)換器如開關電源、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)、電動機驅(qū)動以及工業(yè)自動化設備中。在這些應用中，它能夠顯著降低功耗并提高整體效率。設計電路時需注意適當?shù)纳岽胧┮源_保穩(wěn)定工作，并且應遵循制造商推薦的柵極電阻值來優(yōu)化開關速度和電磁兼容性。

STP35N65DM2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? DM2
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
32A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
110毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
56.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2540 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

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