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STP21NM60ND

更新時間:2025-07-03 18:07:16

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STP21NM60ND外觀圖

STP21NM60ND

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 17A TO-220

封裝:TO-220-3

STP21NM60ND 概述

STP21NM60ND是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關電源應用。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，能在高壓環(huán)境下高效工作，其最大漏源電壓為600V，適合于工業(yè)級應用。主要應用于不間斷電源（UPS）、電機驅動、開關模式電源（SMPS）以及功率因數校正電路中。在實際使用時，建議在柵極串聯一個適當阻值的電阻以抑制振蕩，并且確保散熱良好，可以加裝散熱器或采用強制風冷措施。為了防止過壓損壞，可在漏源間并聯瞬態(tài)抑制二極管或者選用合適的鉗位電路。此外，在PCB布局時應盡量減小寄生電感的影響，將輸入電容盡可能靠近MOSFET引腳放置。

STP21NM60ND 規(guī)格參數

其它有關文件
STP21NM60ND View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
FDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
17A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
220 毫歐 @ 8.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1800pF @ 50V
功率 - 最大
140W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-8444-5

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