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STD16N60M2

更新時間:2025-05-22 00:31:01

供應商
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詢價

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STD16N60M2 概述

STD16N60M2是由意法半導體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用MDmesh M2技術，具有低柵極電荷和低反向傳輸電容，有助于提高開關性能并減少功耗。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達16A，適用于多種高效功率轉換應用。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源（UPS）、照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器以及工業(yè)驅動設備。在這些應用中，STD16N60M2可以實現(xiàn)快速開關速度和平滑的動態(tài)特性，從而提升整體系統(tǒng)效率。使用時需注意正確選擇柵極電阻以優(yōu)化開關性能，并確保適當?shù)纳嵩O計以維持器件長期穩(wěn)定運行。電路設計上建議遵循廠商提供的典型應用電路，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。

STD16N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? M2
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
320 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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