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STD12N60M2

更新時(shí)間:2025-06-22 08:24:09

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
STD12N60M2
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深圳市鉅麟科技有限公司
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TO2523 (DPAK)/24+
-

深圳市眾心微科技有限公司
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原裝，授權(quán)代理

易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司
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深圳市萬芯時(shí)代貿(mào)易有限公司
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深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司
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只有原裝，原裝，假一罰十

深圳市得捷芯城科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號(hào)開票

深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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十年配單，只做原裝

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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十年配單，只做原裝

深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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深圳中和芯電子有限公司
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只做現(xiàn)貨，一站式配單

深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司 展會(huì)宣傳
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十年配單，只做原裝

深圳市杰旭鑫科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，可開專票

深圳市偉欣華電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，支持bom表配單

藍(lán)界科技（深圳）有限公司
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STMicroelectronics
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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十年配單，只做原裝

深圳市納艾斯科技有限公司
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司
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上海馳循電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨,精專配套,正品BOM表報(bào)價(jià)

深圳市煜升源電子有限公司
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深圳市斌騰達(dá)科技有限公司
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100%進(jìn)口原裝長(zhǎng)期供應(yīng)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))

深圳市吉銘貿(mào)易有限公司
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標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際（香港）有限公司
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公司現(xiàn)貨只做原裝

深圳市硅宇電子有限公司
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STMicroelectronics(意法半導(dǎo)體)
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助力國(guó)營(yíng)二十余載，一站式BOM配單

深圳聞舟科技有限公司
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訂貨、調(diào)貨

深圳市琦凌凱科技有限公司
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中揚(yáng)電子（深圳）有限公司
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十年配單，只做原裝

深圳市世紀(jì)成達(dá)電子科技有限公
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9000
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市廣弘電子有限公司
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10000
ST/意法
NA/2020
-

深圳市富萊微科技有限公司
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8963
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TO2523 DPak SC63/22+
只做原裝，現(xiàn)貨庫(kù)存

深圳市粵東誠(chéng)信電子有限公司
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12000
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1521+/24+
只做原裝，BOM表配單

華芯盛世半導(dǎo)體（深圳）有限公
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35000
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只做原裝

深圳市拓億芯電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨假一賠十有原包裝可來看貨

深圳市合江泰電子有限公司
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只做原裝,提供一站式配套服務(wù)，BOM表秒報(bào)

昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市廣運(yùn)誠(chéng)科技有限公司
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深圳市廣贏電子有限公司
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35000
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原裝現(xiàn)貨

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STD12N60M2 概述

STD12N60M2是由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的MDmesh M2技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高頻應(yīng)用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達(dá)12A，非常適合于電源轉(zhuǎn)換器、不間斷電源（UPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他工業(yè)應(yīng)用中的高壓開關(guān)電路。在實(shí)際應(yīng)用中，建議合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并注意散熱設(shè)計(jì)以確保穩(wěn)定工作。典型電路設(shè)計(jì)中可將其作為同步整流或主開關(guān)管使用，需確保柵極驅(qū)動(dòng)電壓足夠高以完全開啟MOSFET。

STD12N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,488現(xiàn)貨
系列
MDmesh? M2
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
9A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
450 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
538 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

STD12N60M2推薦型號(hào)

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STD100NH02L
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