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STD12N60DM2AG

更新時間:2025-06-21 10:25:32

供應商
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服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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STD12N60DM2AG 概述

STD12N60DM2AG是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高效能電源轉(zhuǎn)換應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻操作。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達12A，非常適合用于不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動等應用。在實際應用中，建議將其用于硬開關和軟開關拓撲結(jié)構(gòu)，如PWM控制器的輸出級。設計電路時應注意適當?shù)纳峁芾?，以確保最佳性能和可靠性。推薦使用標準的TO-220封裝布局，并遵循制造商提供的PCB設計指南來優(yōu)化電氣連接，減少寄生電感和噪聲干擾。在高壓應用中，需特別注意柵極驅(qū)動電路的設計，保證足夠的驅(qū)動能力以實現(xiàn)快速開關。

STD12N60DM2AG 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101, MDmesh? DM2
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
10A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
430 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
14.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
614 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-PAK（TO-252）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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SPX1117M3

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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