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STD11N65M2

更新時間:2025-06-12 20:50:33

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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原裝，授權代理

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TO2523 (DPAK)/24+
-

易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司
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只做原裝

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一手工廠庫存，貨穩(wěn)/價低/快速

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原裝現(xiàn)貨，實單支持

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全新原裝現(xiàn)貨，可開專票

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原裝現(xiàn)貨，可以開票

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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只有原裝，原裝，假一罰十

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STD11N65M2 概述

STD11N65M2是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關電源應用。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，能夠有效降低開關損耗。其最大漏極-源極電壓(VDS)為650V，連續(xù)漏極電流(ID)可達11A，適用于需要高電壓N65M2常用于AC-DC轉換器、DC-DC轉換器、電機驅動以及照明設備等應用中。由于其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和低柵極電荷(Qg)，在高頻操作下也能保持高效性能。此外，這款MOSFET符合工業(yè)級標準，適合在惡劣環(huán)境下工作。使用時應注意合理的散熱設計以確保長期可靠性。

STD11N65M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
98現(xiàn)貨
系列
MDmesh? II Plus
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
670 毫歐 @ 3.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
12.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
410 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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