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STD11N50M2

更新時間:2025-06-16 19:50:33

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳中和芯電子有限公司
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只做現(xiàn)貨，一站式配單

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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深圳市偉欣華電子有限公司
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深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司
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全現(xiàn)原裝現(xiàn)貨庫存

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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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STD11N50M2 概述

STD11N50M2是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的MDmesh M2技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性，有助于提高能效并減少開關(guān)損耗。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）可達(dá)11A，適用于高電壓、大電流的應(yīng)用場景。典型應(yīng)用場景包括開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）、電機(jī)驅(qū)動器以及工業(yè)自動化設(shè)備中的高壓轉(zhuǎn)換電路。在這些應(yīng)用中，該MOSFET能夠提供快速的開關(guān)速度和平滑的切換性能，從而提升系統(tǒng)整體效率。使用時應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)性能，并確保散熱設(shè)計滿足熱管理要求。建議在實(shí)際應(yīng)用中參考最新的數(shù)據(jù)手冊進(jìn)行電路設(shè)計與元件選型。

STD11N50M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
530 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
395 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

STD11N50M2推薦型號

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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