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STD110N8F6

更新時間:2025-06-18 02:06:35

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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STD110N8F6 概述

STD110N8F6是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓(Vds)為800V，連續(xù)漏極電流(Id)可達(dá)45A(在室溫下)，適合于高壓應(yīng)用場合。典型應(yīng)用場景包括電源適配器、LED驅(qū)動器、電機驅(qū)動以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。由于其低柵極電荷(Qg)特性，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)操作，有助于提高系統(tǒng)效率并減少散熱需求。此外，內(nèi)置的ESD保護功能提高了器件的可靠性和耐用性。在實際應(yīng)用中，建議根據(jù)具體的工作條件選擇合適的柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)性能。設(shè)計PCB時應(yīng)注意減小寄生電感，并確保充分的散熱措施以維持穩(wěn)定工作溫度。對于高可靠性要求的應(yīng)用，建議進行詳細(xì)的熱仿真分析。

STD110N8F6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
STripFET? F6
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
80A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
6.5 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
9130 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
167W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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STD110N8F6推薦型號

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STD100N03L
STD100N10F7
STD100N3LF3
STD100NH02
STD100NH02L
STD100NH02LT4
SMCJ33CA

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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