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STD10LN80K5

更新時間:2025-05-29 08:17:02

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詢價

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STD10LN80K5 概述

STD10LN80K5是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有800V的漏源電壓額定值和10A的連續(xù)漏極電流能力。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率。這款MOSFET適用于開關電源、照明控制、電機驅動等多種工業(yè)和消費類應用。在電路設計中，建議關注柵極驅動電路的設計以確保可靠開關，并注意散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內。典型應用包括反激式轉換器、正激變換器等拓撲結構，在這些電路中可作為主開關器件使用。

STD10LN80K5 規(guī)格參數

現有數量
1,324現貨
系列
MDmesh? K5
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
630 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
427 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-PAK（TO-252）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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