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STD100NH03L

更新時間:2025-05-18 12:13:27

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詢價

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STD100NH03L 概述

STD100NH03L是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高效率和高速開關應用設計，具有低導通電阻和低柵極電荷特性。其最大漏源電壓為30V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達100A。典型應用場景包括電源管理、電機驅動、電動工具以及直流-直流轉換器等需要高效功率轉換的場合。在電路設計中，需確保柵極驅動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，同時注意散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內。對于電機驅動應用，建議添加適當?shù)木彌_電路以吸收反電動勢，保護MOSFET免受過壓損壞。

STD100NH03L 規(guī)格參數(shù)

典型關斷延遲時間
48 ns
典型接通延遲時間
16 ns
典型柵極電荷@Vgs
57 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds
4100 pF V @ 15
安裝類型
表面貼裝
寬度
6.2mm
封裝類型
DPAK
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
引腳數(shù)目
3
最低工作溫度
-55 °C
最大功率耗散
100000 mW
最大柵源電壓
±20 V
最大漏源電壓
30 V
最大漏源電阻值
0.006
最大連續(xù)漏極電流
60 A
最高工作溫度
+175 °C
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
單
長度
6.6mm
高度
2.4mm

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