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STB7N60

更新時間:2025-05-28 02:11:02

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STB7N60 概述

STB7N60是意法半導體生產的一款高壓N溝道MOSFET。該器件專為高頻開關應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為600V，適合在高電壓電路中使用。典型應用包括電源轉換器、適配器、電機驅動以及工業(yè)控制設備。在電源轉換器中，STB7N60可用于DC-DC轉換器的初級側開關管，實現(xiàn)高效能量轉換。由于其較低的開關損耗，特別適用于頻率在100kHz以上的電路設計。此外，在電機驅動應用中，它能夠提供可靠的功率輸出與保護功能。使用時應注意合適的柵極驅動設計，確保MOSFET能完全開啟與關閉。建議在柵極串聯(lián)一個適當?shù)碾娮鑱硪种普袷帲⒃谠礃O與柵極之間并聯(lián)一個齊納二極管以防止過壓損壞。在實際布線時應盡量減小寄生電感，優(yōu)化PCB布局有助于提升整體性能。