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SCTL35N65G2V

更新時間:2025-06-08 11:38:59

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SCTL35N65G2V 概述

SCTL35N65G2V是STMicroelectronics生產的一款650V超結MOSFET，適用于高效功率轉換應用。該器件具有低導通電阻和柵極電荷特性，有助于減少開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率。典型應用場景包括服務器電源、太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)和工業(yè)驅動等需要高電壓和大電流處理能力的場合。其優(yōu)化的開關性能使得它在高頻操作下仍能保持較低的溫升，從而簡化散熱設計。此外，該MOSFET還具備增強的dv/dt抗干擾能力和穩(wěn)健的體二極管，提升了系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。在實際應用中，建議根據(jù)具體電路需求選擇合適的柵極驅動電阻，并注意PCB布局以優(yōu)化熱性能。

SCTL35N65G2V 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
67毫歐 @ 20A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
73 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1370 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
417W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerFlat?（8x8）HV
封裝/外殼
8-PowerVDFN

芯知識

2.9萬

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廣東微爾科技有限公司

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