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NTMFS4982NFT1G

更新時間:2025-05-20 04:29:22

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NTMFS4982NFT1G 概述

NTMFS4982NFT1G是由安森美半導體生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的DFN5x6封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型值僅為3.5mΩ，這有助于減少導通損耗并提高能效。其最大漏源電壓（Vds）可達30V，適合于低壓應用。此款MOSFET廣泛應用于負載開關、電源管理模塊及DC-DC轉換器等場景中。在電池供電設備中表現尤為出色，能夠有效提升系統(tǒng)效率。當用于負載開關電路設計時，建議合理選擇柵極驅動電阻以控制開關速度，并注意散熱設計確保穩(wěn)定工作。在實際應用中要避免超過其最大額定參數如連續(xù)漏電流等，以免造成器件損壞。

NTMFS4982NFT1G 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
26.5A（Ta），207A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.3 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
84 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
6000 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼
8-PowerTDFN，5 引線

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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