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NTMFS4926NT1G

更新時間:2025-05-19 02:30:20

供應商
產品型號
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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QFN/24+
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只做原廠原裝假一罰十可含稅

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假一罰十，原裝進口現貨供應，只做原裝

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專注電子元件十年，只做原裝現貨

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深圳市金勝達微科技有限公司
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NTMFS4926NT1G外觀圖

NTMFS4926NT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 9A SO-8FL

封裝:8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）

NTMFS4926NT1G 概述

NTMFS4926NT1G是安森美半導體生產的一款N溝道增強型功率MOSFET，采用PQFN5x6封裝。這款MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，適合在高頻開關電源、同步整流電路等應用中使用。其最大漏源電壓為30V，適用于低壓直流-直流轉換器、負載點電源模塊以及電機驅動電路等場景。由于其低柵極電荷和低反向傳輸電容，能夠顯著降低開關損耗并提高系統(tǒng)效率，在需要高效能的緊湊型設計中表現出色。在實際應用中，應確保柵極驅動電壓足夠以保證完全開啟，并且注意散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內。

NTMFS4926NT1G 規(guī)格參數

標準包裝
1,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1004pF @ 15V
功率 - 最大
920mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）
供應商設備封裝
6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMFS4926NT1G-NDNTMFS4926NT1GOSTR

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廣東微爾科技有限公司

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NTMFD4C85NT1G
NTMFS4108NT1G
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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