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MTP2N50E

更新時間:2025-06-13 03:39:48

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MTP2N50E 概述

MTP2N50E是來自Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司的N溝道功率MOSFET。該芯片采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適合于高頻應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為500V，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))為2.8Ω。此款MOSFET適用于多種電源管理場景，如交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動器以及各種工業(yè)控制設(shè)備中作為開關(guān)元件使用。在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，應(yīng)確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實(shí)現(xiàn)最低的RDS(on)，從而減少導(dǎo)通損耗并提高效率。此外，由于其高擊穿電壓特點(diǎn)，可用于需要承受瞬態(tài)高壓沖擊的應(yīng)用環(huán)境，但需注意散熱設(shè)計(jì)以保證器件穩(wěn)定運(yùn)行。

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MTP2N50E
MTP201-24B-E
MTP201-G128-B-E
MTP201-G166-E
MTP20N06V
MTP20N10
MTP20N15E
MBR10100CT

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