IXTT10N100D2是Littelfuse公司生產的一款高壓大電流雙N溝道MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓可達1000V，連續(xù)漏極電流為10A，在需要高電壓和中等電流的應用場景中表現(xiàn)出色。典型應用包括電源轉換器、逆變器、電機驅動和高壓側開關電路。在實際應用中，需注意柵極驅動電壓應保持在規(guī)定范圍內以確保正常工作，并且由于其高電壓特性，在PCB布局時要特別注意電氣隔離和爬電距離的設計，以保證系統(tǒng)的安全性和可靠性。

IXTT10N100D2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Depletion
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
10A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.5 歐姆 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
200 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5320 pF @ 25 V
FET 功能
耗盡模式
功率耗散（最大值）
695W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-268AA
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

芯知識

3.0萬

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IXTT10N100D2

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IXTT10N100D2

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