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IXTP3N100P

更新時間:2025-05-21 05:07:50

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詢價

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IXTP3N100P外觀圖

IXTP3N100P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP3N100P 概述

IXTP3N100P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高電壓功率MOSFET。該器件具有極低的導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于需要高效能和緊湊設(shè)計的應用場合。其最大漏源電壓（Vds）可達1000V，連續(xù)漏電流（Id）為2.7A，確保了在高壓應用中的可靠性和穩(wěn)定性。典型應用包括開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動以及工業(yè)控制設(shè)備中。在實際使用時，由于其具備低柵極電荷特性，能夠?qū)崿F(xiàn)較低的開關(guān)損耗，有助于提升整體系統(tǒng)效率。建議在電路設(shè)計中采用適當?shù)纳岽胧┮员ＷC最佳性能，并且在柵極驅(qū)動電路設(shè)計上要確保信號完整性以避免誤觸發(fā)。對于高可靠性要求的應用場景，在PCB布局時應盡量減小寄生電感和電容的影響。

IXTP3N100P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarVHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.8 歐姆 @ 1.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
39nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1100pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設(shè)備封裝
TO-220
包裝
管件

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IXTP10P15T
IR2104S

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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