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IXTP32N20T

更新時間:2025-05-29 02:22:38

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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IXTP32N20T外觀圖

IXTP32N20T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 200V 32A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP32N20T 概述

IXTP32N20T是IXYS公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。它專為高效能應(yīng)用而設(shè)計，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點。該器件最大漏源電壓(VDS)可達200V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為32A。其柵極電荷(Qg)較低，有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。典型的應(yīng)用場景包括開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器以及各種工業(yè)控制設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換電路。在使用時應(yīng)注意適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計以確保長期穩(wěn)定運行，并且在PCB布局中盡量縮短源極到地的走線距離以降低寄生電感影響。

IXTP32N20T 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
32A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
72 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1760pF @ 25V
功率 - 最大
200W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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IXTP08N100D2
IXTP08N120P
IXTP08N50D2
IXTP10P15T
IRF540NPBF

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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