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IXTP2R4N50P

更新時間:2025-05-16 10:35:43

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
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封裝/批號
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限
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中揚(yáng)電子（深圳）有限公司
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芯德微聯(lián)（深圳）電子有限公司
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IXTP2R4N50P外觀圖

IXTP2R4N50P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP2R4N50P 概述

IXTP2R4N50P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。這款N溝道MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用場合。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃時可達(dá)2.4A，適合于要求高效率和緊湊設(shè)計的電源轉(zhuǎn)換電路中。典型應(yīng)用場景包括開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動控制等領(lǐng)域。在實(shí)際應(yīng)用中，建議注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計以確?？煽块_啟和關(guān)閉MOSFET，并采取適當(dāng)?shù)纳岽胧﹣肀ＷC器件工作溫度在其額定范圍內(nèi)，從而提高系統(tǒng)整體可靠性。

IXTP2R4N50P 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.75 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6.1nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
240pF @ 25V
功率 - 最大
55W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220
包裝
管件

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IXTP08N100D2
IXTP08N120P
IXTP08N50D2
IXTP10P15T
IXTP10P50P
IRF9530

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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