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IXTH6N80A

更新時(shí)間:2025-06-12 22:15:55

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
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數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

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IXTH6N80A外觀圖

IXTH6N80A

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 6A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH6N80A 概述

IXTH6N80A是IXYS公司生產(chǎn)的一款高壓MOSFET，適用于高頻開關(guān)電源等應(yīng)用。該器件的最大漏源電壓Vds為800V，連續(xù)漏極電流Id在25℃時(shí)為6A。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性有助于提高系統(tǒng)效率并減少熱損耗。由于采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)，使得這款功率MOSFET具有出色的性能表現(xiàn)。該型號(hào)廣泛應(yīng)用于不間斷電源（UPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器、交流-直流適配器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制等領(lǐng)域。在實(shí)際應(yīng)用中，設(shè)計(jì)者應(yīng)注意合理布局PCB以降低寄生電感，并選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)電阻來(lái)優(yōu)化開關(guān)速度。對(duì)于高可靠性要求的應(yīng)用場(chǎng)合，還需考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧┮源_保器件工作溫度處于安全范圍之內(nèi)。

IXTH6N80A 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 歐姆 @ 3A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
130nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2800pF @ 25V
功率 - 最大
180W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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