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IXTH180N10T

更新時間:2025-05-23 18:07:40

供應商
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封裝/批號
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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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IXTH180N10T外觀圖

IXTH180N10T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 100V 180A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH180N10T 概述

IXTH180N10T是一款由IXYS公司生產的高性能N溝道MOSFET，專為高壓和大電流應用設計。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，使其在電源管理、電機驅動及工業(yè)控制等高功率應用場景中表現出色。它采用TO-247封裝，便于散熱和安裝。其最大漏極-源極電壓（Vds）可達100V，連續(xù)漏極電流（Id）高達180A，非常適合需要高效電能轉換的場合。在實際應用中，建議合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關速度，并確保良好的散熱設計，避免過熱損壞。此MOSFET常用于開關電源、逆變器及DC-DC轉換器等電路中。

IXTH180N10T 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
180A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.4 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
151nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6900pF @ 25V
功率 - 最大
480W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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