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IXTH160N10T

更新時間:2025-06-04 02:43:05

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
IXTH160N10T
BOM配單
只做原裝正品，提供一站式配套服務(wù)
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回收此型號IXTH160N10T

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IXTH160N10T外觀圖

IXTH160N10T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 100V 160A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH160N10T 概述

IXTH160N10T是一款由IXYS公司生產(chǎn)的功率MOSFET，屬于高壓晶體管系列。該器件設(shè)計用于高電壓和高電流的應(yīng)用場景，最大漏源電壓（Vds）可達(dá)100V，連續(xù)漏極電流（Id）高達(dá)160A。其采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)，有效降低了導(dǎo)通電阻（Rds(on)），提高了整體效率。這款MOSFET非常適合需要高效能開關(guān)的場合，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動、不間斷電源（UPS）、逆變器以及各類工業(yè)自動化設(shè)備中。在實際應(yīng)用中，為確保最佳性能，建議在PCB布局時優(yōu)化散熱設(shè)計，并遵循制造商提供的電氣參數(shù)指導(dǎo)。例如，在高頻開關(guān)應(yīng)用中，需特別注意柵極電阻的選擇以控制開關(guān)速度，減少EMI干擾。同時，應(yīng)保證足夠的柵極驅(qū)動電壓來實現(xiàn)低Rds(on)，從而降低功耗并提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

IXTH160N10T 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
160A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
132nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6600pF @ 25V
功率 - 最大
430W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247
包裝
管件

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IT8712F-A

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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