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IXTA6N50P

更新時(shí)間:2025-05-15 22:08:35

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
IXTA6N50P
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深圳市吉銘貿(mào)易有限公司
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MOSFET NCH 500V 6A D2PAK/2020+
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深圳市科鑫美電子有限公司
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深圳市琦凌凱科技有限公司
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十年配單，只做原裝

中揚(yáng)電子（深圳）有限公司
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IXTA6N50P外觀圖

IXTA6N50P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IXTA6N50P 概述

IXTA6N50P是由IXYS公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用。其設(shè)計(jì)主要用于高效電源轉(zhuǎn)換電路，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、不間斷電源（UPS）系統(tǒng)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制等場(chǎng)合。在實(shí)際應(yīng)用中，IXTA6N50P因其優(yōu)秀的熱性能和電氣性能，常被用于需要高效率和緊湊設(shè)計(jì)的電力電子設(shè)備中。使用時(shí)應(yīng)注意正確選擇柵極驅(qū)動(dòng)電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保散熱設(shè)計(jì)合理，避免因過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。對(duì)于新手工程師來說，在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)可以參考IXYS提供的典型應(yīng)用電路，確保MOSFET工作在其安全工作區(qū)內(nèi)。

IXTA6N50P 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.1 歐姆 @ 3A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
740pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-263
包裝
管件

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