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IXTA4N60P

更新時間:2025-05-17 03:17:53

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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IXTA4N60P外觀圖

IXTA4N60P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IXTA4N60P 概述

IXTA4N60P是IXYS公司生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的Trench技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器和其他高效能電力電子設備。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達4A，在保證高效率的同時提供了良好的熱穩(wěn)定性。該MOSFET在電機驅動、不間斷電源（UPS）、照明系統(tǒng)等需要高壓高速開關的應用場景中表現(xiàn)出色。使用時應注意合理的散熱設計以確保最佳性能，并根據(jù)具體應用選擇合適的柵極電阻值來優(yōu)化開關速度和EMI表現(xiàn)。

IXTA4N60P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2 歐姆 @ 2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
635pF @ 25V
功率 - 最大
89W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
TO-263
包裝
管件

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