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IXGH56N60B3D1

更新時間:2025-05-16 15:10:57

供應商
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IXGH56N60B3D1 概述

IXGH56N60B3D1是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的Trench技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達56A，在高壓應用中表現(xiàn)出色。由于其優(yōu)異的電氣性能，廣泛應用于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及太陽能逆變器等領域。在實際使用時，建議根據(jù)具體應用需求合理選擇柵極電阻值以優(yōu)化開關速度，同時注意散熱設計確保器件工作溫度不超過最大額定值，從而保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

IXGH56N60B3D1 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
GenX3?
包裝
管件
產品狀態(tài)
停產
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
-
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
350 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
1.8V @ 15V，44A
功率 - 最大值
330 W
開關能量
1.3mJ（開），1.05mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
138 nC
25°C 時 Td（開/關）值
26ns/155ns
測試條件
480V，44A，5 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
100 ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
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供應商器件封裝
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廣東微爾科技有限公司

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