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IXFX55N50

更新時間:2025-05-17 17:13:29

供應商
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服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
IXFX55N50
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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原裝正品，配單能手

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

海芯未來半導體電子（深圳）有
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7300
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中科航電（深圳）電子集團有限
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TO247/1810+
一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

深圳市創(chuàng)升揚電子有限公司
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IXFX55N50外觀圖

IXFX55N50

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247

封裝:TO-247-3

IXFX55N50 概述

IXFX55N50是IXYS公司生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有500V的漏源電壓（VDSS）和高達55A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導通電阻（RDS(on)）特性有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動器及各種工業(yè)控制設備。在這些應用中，IXFX55N50能有效處理高電壓和大電流，同時保持較低的開關損耗。此外，它還適用于需要快速開關速度和良好熱性能的設計。使用時需注意確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以充分開啟MOSFET，并采取適當?shù)纳岽胧﹣砉芾砉ぷ鳒囟?。在PCB布局方面，應盡量縮短高頻節(jié)點間的走線長度，減少寄生電感的影響。對于驅動電路，建議采用低阻抗路徑連接到MOSFET的柵極與源極之間，以防止振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

IXFX55N50 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
55A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
330nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
9400pF @ 25V
功率 - 最大
520W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

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