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IXFX52N60Q2

更新時間:2025-05-20 07:42:40

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IXFX52N60Q2外觀圖

IXFX52N60Q2

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247

封裝:TO-247-3

IXFX52N60Q2 概述

IXFX52N60Q2是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。這款MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達52A，非常適合于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動和逆變器等高功率密度設計。該器件采用了先進的溝槽技術，有效降低了開關損耗并提高了整體效率。它還具備優(yōu)異的雪崩擊穿能力，增強了在苛刻工作環(huán)境下的可靠性。IXFX52N60Q2通常用于需要高效能功率轉換的應用中，例如開關模式電源（SMPS）和直流-直流轉換器。設計時應注意散熱管理以充分發(fā)揮其性能，并根據(jù)具體應用選擇適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路以確保穩(wěn)定運行。

IXFX52N60Q2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
52A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
115 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
198nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6800pF @ 25V
功率 - 最大
735W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

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