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IXFP36N20X3

更新時間:2025-06-03 05:46:56

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
IXFP36N20X3
BOM配單
只做原裝正品，提供一站式配套服務
上傳BOM

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳市華普冠科電子科技有限公
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市鼎信佳電子科技有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，市場

深圳市芯福林電子科技有限公司
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IXFP36N20X3 概述

IXFP36N20X3是IXYS公司生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器及逆變器等應用場合。在實際應用中，這款MOSFET常用于需要高效能轉換的電路設計中，如電動汽車充電樁、不間斷電源（UPS）系統(tǒng)和電機驅動控制。其最大漏極電流可達36A，最大漏源電壓為200V，適合處理較高功率需求的應用場景。使用時應注意合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關性能，并確保散熱設計良好以維持穩(wěn)定工作溫度。對于高頻應用，需特別關注PCB布局以減少寄生電感影響。

IXFP36N20X3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
387現(xiàn)貨
系列
HiPerFET?, Ultra X3
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
36A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
45 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 500μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1425 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
176W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220-3
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

IXFP36N20X3推薦型號

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IXFP10N80P
IXFP110N15T2
IXFP130N10T2
IXFP14N60P
IXFP14N60P3
IXFP26N50P3
IXFP3N120
IRFR024N

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