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IXFP16N50P3

更新時間:2025-06-03 18:58:58

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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IXFP16N50P3 概述

IXFP16N50P3是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的Trench技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為500V，連續(xù)漏極電流可達16A，適用于高電壓、大電流的應用場景。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及工業(yè)控制設備等。在電路設計中，建議充分考慮散熱管理，確保MOSFET在安全工作區(qū)內運行。使用時應注意柵極驅動電壓的選擇，以保證最佳的開關性能和效率。此外，在實際應用中應避免超過最大額定值，以防損壞器件。

IXFP16N50P3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
88現(xiàn)貨
系列
HiPerFET?, Polar3?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
360 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1515 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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IR2111

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