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IXFA12N50P

更新時間:2025-05-23 21:38:23

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封裝/批號
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IXFA12N50P外觀圖

IXFA12N50P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IXFA12N50P 概述

IXFA12N50P是IXYS公司生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有500V的漏源電壓額定值和12A的連續(xù)漏極電流能力。其低導通電阻特性有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括開關電源、電機驅動器、逆變器以及各種工業(yè)電源管理電路中。在實際應用中，由于其較高的擊穿電壓，適用于需要高電壓處理能力的場合。使用時應注意柵極驅動電路的設計，確保足夠的驅動電壓以實現(xiàn)最低的導通電阻。對于高頻應用，還需考慮MOSFET的開關速度與寄生電容的影響，合理布局PCB以減小寄生效應。在設計保護電路時，建議添加適當?shù)木彌_電路來吸收尖峰電壓，保護MOSFET免受過壓損壞。

IXFA12N50P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
Polar™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
500 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1830pF @ 25V
功率 - 最大
200W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
TO-263（D2Pak）
包裝
管件

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