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ISMA5931BT3G

更新時間:2025-07-13 02:15:42

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ISMA5931BT3G 概述

ISMA5931BT3G是由onsemi（安森美半導體）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高速開關應用。其最大漏源電壓為30V，在柵極驅動電壓為4.5V時，典型導通電阻為35mΩ，這使得它在電源OSFET廣泛應用于便攜式設備、負載開關、DC-DC轉換器等場景。在便攜式設備中，它的低功耗有助于延長電池使用時間；在負載開關應用里，能有效控制電流的通斷；而在DC-DC轉換器方面，可提高轉換效率。設計電路時應注意保證柵極驅動電壓足夠以確保完全開啟，同時注意散熱設計以避免過熱損壞。例如，在一個簡單的降壓轉換器電路中，它可以作為功率開關管來使用，與電感、電容等元件配合實現電壓轉換功能。

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