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IRFS7440TRLPBF

更新時間:2025-05-22 22:14:16

供應商
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

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有上有貨原裝現(xiàn)貨可看貨，提供配單服務

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IRFS7440TRLPBF 概述

IRFS7440TRLPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。它具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，能在高頻率下工作，特別適合于直流-直流轉(zhuǎn)換器、不間斷電源系統(tǒng)以及電機驅(qū)動電路等場合。在實際應用中，需注意其最大漏源電壓為40V，確保電路設計中的電壓不超過此限值以避免損壞器件。此外，在進行PCB布局時，應盡量減小源極與柵極之間的走線長度，以減少寄生電感對開關(guān)性能的影響。對于需要高效散熱的設計，可考慮增加散熱片或優(yōu)化PCB銅箔面積來提高散熱效果。

IRFS7440TRLPBF 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
1,449現(xiàn)貨
系列
HEXFET?, StrongIRFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
120A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.5 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4730 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263（D2Pak）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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廣東微爾科技有限公司

黃金展位供應商

電話：13428746590
深圳市譽輝天成電子有限公司

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