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FPD1050

更新時間:2025-06-12 08:59:32

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FPD1050 概述

FPD1050是ON Semiconductor生產的一款高性能P溝道MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于各種電源管理應用。其最大漏極-源極電壓為-20V，在柵極驅動電壓為-4.5V時，導通電阻僅為35mΩ，這有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括負載開關、電池保護電路以及便攜式設備中的電源管理模塊。在實際應用中，建議將其用于需要高效能電源控制的場合，如智能手機和平板電腦等消費電子產品。設計電路時需注意正確的柵極驅動電壓以確保完全開啟或關閉MOSFET，并且要充分考慮散熱措施，避免因過熱導致性能下降或損壞。

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