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FDD8750

更新時間:2025-05-19 22:45:06

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FDD8750外觀圖

FDD8750

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 25V 6.5A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD8750 概述

FDD8750是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用。其最大漏源電壓Vds為30V，連續(xù)漏極電流Id在25°C時可達12A。典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電源管理電路中。由于其出色的熱性能和電氣特性，特別適合用于便攜式設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中，如手機、平板電腦等需要高效能電源管理的場合。在實際應(yīng)用中，建議注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，以確保MOSFET充分開啟。對于高頻率應(yīng)用，需考慮PCB布局對寄生電感的影響，盡量縮短源極與柵極之間的走線距離，減少振鈴現(xiàn)象的發(fā)生。設(shè)計時還需關(guān)注散熱設(shè)計，保證器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。

FDD8750 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 2.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
425pF @ 13V
功率 - 最大
3.7W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD8750TR

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