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DMN2041UVT-7

更新時間:2025-06-07 17:19:41

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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現代芯城（深圳）科技有限公司
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DMN2041UVT-7 概述

DMN2041UVT-7是Diodes Incorporated生產的一款N溝道增強型MOSFET，采用超小尺寸的SOT-23封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于電池供電設備中的負載開關、電源管理以及DC-DC轉換器等應用。其最大漏極電流（ID）可達3.8A，柵源電壓（VGS）為4.5V時，典型導通電阻（RDS(on)）低至36mΩ，有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。在便攜式電子產品如智能手機和平板電腦中，DMN2041UVT-7可以有效提升設備的整體性能，并延長電池使用壽命。設計電路時應注意適當的散熱措施以確保長期穩(wěn)定工作。

DMN2041UVT-7 規(guī)格參數

現有數量
2,262現貨12,000Factory
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
技術
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 N-通道（雙）
FET 功能
-
漏源電壓（Vdss）
20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5.8A（Ta）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
28 毫歐 @ 8.2A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
9.1nC @ 4.5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
689pF @ 10V
功率 - 最大值
1.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝
TSOT-26

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廣東微爾科技有限公司

DMN2041UVT-7推薦型號

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DMN2004DWK-7
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DMN2004K-7-F
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DMN2004VK-7-F
DUMY

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