**芯片概述：** CSD18563Q5A是由Texas Instruments（德州儀器）生產(chǎn)的N溝道MOSFET，采用SON 5mm x 6mm封裝。該器件設(shè)計(jì)用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，使其在高頻率下仍能保持較低的損耗。其優(yōu)化的柵極電荷允許使用較小的驅(qū)動電路，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了成本。 **應(yīng)用場景：** 此款MOSFET廣泛應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域，如同步整流、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池供電設(shè)備等。特別是在需要緊湊設(shè)計(jì)和高效能表現(xiàn)的產(chǎn)品中，如智能手機(jī)充電器、筆記本電腦適配器等消費(fèi)電子產(chǎn)品，它能夠顯著提高效率并減少發(fā)熱。 **應(yīng)用指導(dǎo)：** 在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，需注意PCB布局以最小化寄生電感對開關(guān)性能的影響。建議采用短而寬的走線連接源極和漏極，并確保柵極驅(qū)動信號路徑盡可能直接。此外，在選擇柵極電阻時(shí)應(yīng)綜合考慮開關(guān)速度與EMI兼容性之間的平衡。對于高可靠性要求的應(yīng)用場景，還需進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒峁芾碓O(shè)計(jì)。

CSD18563Q5A 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
NexFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
100A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
6.8mOhm @ 18A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），116W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-VSONP（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN

芯知識

3.0萬

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