**芯片概述：** CSD17576Q5B是由Texas Instruments（德州儀器）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SON 5mm x 6mm封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率特性，適用于需要高效電源管理的應(yīng)用場景。它專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)調(diào)節(jié)器等。在實際應(yīng)用場景中，CSD17576Q5B廣泛應(yīng)用于電信設(shè)備、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)路由器以及工業(yè)自動化系統(tǒng)的電源管理模塊中。其快速開關(guān)特性和低柵極電荷使其非常適合用于同步整流電路，能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)整體效率。 **應(yīng)用指導(dǎo)：** 在使用CSD17576Q5B時，建議注意以下幾點： 1. **驅(qū)動電壓**：確保柵極驅(qū)動電壓足夠高以實現(xiàn)最佳導(dǎo)通性能。 2. **散熱設(shè)計**：盡管器件本身具有良好的熱性能，但在高功率應(yīng)用中仍需考慮適當?shù)纳岽胧?3. **PCB布局**：合理設(shè)計PCB走線，減少寄生電感對開關(guān)性能的影響。例如，在高頻應(yīng)用中，盡量縮短源極與柵極之間的連線長度。更多詳細信息，請參考官方技術(shù)文檔或數(shù)據(jù)手冊。

CSD17576Q5B 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
396現(xiàn)貨10,000Factory
系列
NexFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
100A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
2 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4430 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-VSONP（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN

芯知識

2.9萬

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