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BSZ130N03LSG

更新時間:2025-06-12 18:55:52

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市漢威信息技術(shù)有限公司
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公司現(xiàn)貨庫存，假一賠十

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BSZ130N03LSG 概述

BSZ130N03LSG是由英飛凌科技生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。它采用先進的硅技術(shù)制造，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。該元件的最大漏源電壓為30V，在柵極驅(qū)動電壓為4.5V時，其最大導通電阻僅為6mΩ，這有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此MOSFET廣泛應用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點調(diào)節(jié)器以及電池供電設(shè)備中。例如，在筆記本電腦和平板電腦的電源管理系統(tǒng)里，它可以作為同步整流管或主開關(guān)管使用。在實際應用中，需注意其最大工作電流與溫度的關(guān)系，確保散熱設(shè)計合理以維持穩(wěn)定工作狀態(tài)。電路設(shè)計時建議采用適當?shù)臇艠O電阻來控制開關(guān)速度，避免產(chǎn)生過高的振蕩。

BSZ130N03LSG 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSZ130N03LS G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單路
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
13 毫歐 @ 20A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
35A
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss)
970pF @ 15V
功率 - 最大
25W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設(shè)備封裝
PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSZ130N03LSGINTR BSZ130N03LSGXT SP000278810

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