AP70N10CP

更新時間:2025-06-15 00:57:09

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AP70N10CP 概述

AP70N10CP是P溝道功率MOSFET，由Diodes Incorporated生產。該器件采用先進的溝槽技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為-100V，適合在各種電源管理應用中使用，如電動工具、電信設備電源管理和電池充電電路等。在電路設計中，建議關注柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟或關閉MOSFET。例如，在低功耗模式下工作時，要保證柵極電壓足夠使MOSFET處于深截止或飽和導通狀態(tài)，避免因部分導通導致的發(fā)熱問題。同時注意散熱設計，以防止過熱影響性能和壽命。