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AOT3N50

更新時間:2025-06-18 15:26:51

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AOT3N50 概述

3N50是由Alpha and Omega Semiconductor公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用。該MOSFET的最大漏源電壓為500V，在25℃時最大連續(xù)漏極電流可達10A。其柵極電荷較低，有助于提高開關(guān)效率，減少驅(qū)動損耗。在實際應(yīng)用中，AOT3N50常用于交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器、適配器以及LED照明驅(qū)動電路中。使用時需注意柵極電壓的穩(wěn)定性，確保在開關(guān)過程中提供足夠的驅(qū)動電壓以降低導通電阻，提升整體效率。設(shè)計電路時，應(yīng)合理選擇柵極電阻值，避免過高的開關(guān)噪聲影響系統(tǒng)性能。

AOT3N50 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 歐姆 @ 1.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
331pF @ 25V
功率 - 最大
74W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220-3
包裝
管件
其它名稱
785-1174-5

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